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夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 10 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大导通电阻,以及22A~47A的额定电流范围。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷减小到216nC,采用TO-247封装。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S,该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷减小到216nC,采用TO-247封装。