Vishay Siliconix发布新款E系列MOSFET器件
摘要： 宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 10 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围。
关键字： 超低最大导通电阻， 超低栅极电荷， 栅极驱动， 开关损耗， 半导体固定设备
宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 10 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术，具有超低栅极电荷，以及较低栅极电荷与导通电阻乘积，该乘积是衡量用在功率转换应用中的MOSFET的重要优值系数。
与前一代S系列器件相比，新的E系列技术使导通电阻降低了30%。根据应用的不同，这些产品可以提供更高的功率密度，使转换效率更上一层楼。由于这个新平台具有更低的输入电容，栅极驱动损耗也减少了。
今天发布的12 E系列器件包括4款22A的MOSFET和4款30A的MOSFET，在10V下的导通电阻分别为190mΩ和125mΩ。22A和30A MOSFET均提供TO-220、TO-220 FullPAK、TO-247和TO-263 (D2PAK)封装。此外，在10V下导通电阻为64mΩ的47A器件采用TO-247封装，导通电阻为150mΩ的24A、650V MOSFET提供TO-220、TO-263 (D2PAK)和TO-247封装。
E系列的超低导通电阻意味着极低的导通和开关损耗，在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、高强度放电(HID)照明、荧光灯镇流器照明、半导体固定设备，太阳能逆变器和感应加热等高功率、高性能的开关模式应用中能够节约能源。
器件经过精心设计，可承受雪崩和整流模式中的高能脉冲，并且保证达到通过100% UIS测试所要求的各种极值。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。
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