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东芝公司在6月推出了一款4通道功率放大器集成电路“TB2941HQ”，可通过引擎空转削减系统来改善车内音响系统的噪声幅值。于2013年7月已投入量产。
东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布推出一款4通道功率放大器集成电路“TB2941HQ”，可通过引擎空转削减系统来改善车内音频系统的噪声耐量。样品现已推出，并计划于2013年7月投入量产。
2012年4月13日，Cirrus Logic 公司(纳斯达克代码：CRUS)宣布拓展Apex Precision Power®放大器产品系列，推出一款新的双通道升压放大器产品PB63。PB63拥有1，000 V/µs的摆率和1 MHz的功率带宽，与公司此前代表行业基准的功率放大器产品相比，可将功率放大器的性能提高到三倍。
2012年2月16日，瑞萨电子株式会社今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)系列产品，包括用于笔记本电脑中锂离子(Li-ion)二级电池的充电控制开关和与AC适配器进行电源转换的电源管理开关等用途进行最佳化的µPA2812T1L。
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET，用于汽车模块，采用小型扁平引脚(FL)封装。
德州仪器 (TI) 宣布推出一款单位通道功率为 3.2 W 的立体声 D 类音频放大器及一款 3 W 单声道 D 类音频放大器，这两款产品均支持快速增益提升 SmartGainTM 自动增益控制 (AGC) 与可编程动态范围压缩 (DRC) 功能。
AUIRS2301S 是一款坚固的通用驱动器 IC，拥有独立的高侧和低侧参考输出通道，提供从 5V 到 20V 的栅极驱动电压。新器件的输出驱动器具备高脉冲电流缓冲级，以提供最低驱动器交叉导通，而浮动通道则可以用来驱动在高达 600V 下工作的高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT。此外，新 IC 也提供负压尖峰 (-Vs) 免疫力，防止系统在高电流切换及短路情况下的灾难性事件。
Vishay Siliconix，同体封装的 190V 功率二极管的 190V N 通道功率 MOSFET Vishay Intertechnology， Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK® SC-70
Vishay Siliconix，占位面积，新型 20V n 通道功率，MOSFET＋肖特基二极管 Vishay Intertechnology， Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管--- SiB800EDK，该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK® SC-75 封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其在 100
Vishay推出业界首批采用 PowerPAK SC-75封装的、额定电压在8V～30V 的 P 通道功率 MOSFET
