Vishay Siliconix 推出业界最小占位面积的新型 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管
2008-12-13 10:44:45
来源：大比特资讯
SiB800EDK 将具有 0.32V 低正向电压的肖特基二极管与在 1.5V VGS 时具有 0.960 低导通电阻的 MOSFET 结合在 PowerPAK® SC-75 封装中
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管--- SiB800EDK，该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK® SC-75 封装。这款新型器件的推出，意味着Vishay将其在 100 mA 时具有 0.32V 低正向电压的肖特基二极管与具有在低至 1.5V 栅极驱动时规定的额定导通电阻的 MOSFET 进行了完美结合。
SiB800EDK 具有0.960（1.5V VGS 时）～0.225（4.5V VGS 时）的低导通电阻范围。1.5 V 时的低导通电阻额定值可使 MOSFET 与低电平时的信号一同使用。
该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备的 I2C 接口与升压转换器中的电平位移转换。
SiB800EDK 具有 ESD 保护，并且 100% 无铅（Pb），无卤素，以及符合 RoHS，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。目前，新型 SiB800EDK 的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。
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