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本文分析了高速信号传输接口对静电放电 (Electrostatic Discharge, ESD)防护元件的要求及元件选型，采用片式多层技术平台设计制造开关型陶瓷静电抑制器（GESD）的功能与性能，经过测试该元件可满足高速信号传输接口ESD防护的技术要求。
本视频介绍安森美半导体的NIV1161，它在汽车应用环境中保护高速数据线路免受静电放电(ESD)及对电池短路的损伤。本视频我们将以一个电子系统的后视摄像为例，以展示NIV1161的特性。
静电放电(ESD)和电快速瞬变脉冲群(EFT)对仪器仪表系统会产生不同程度的危害。静电放电在5～200MHz的频率范围内产生强烈的射频辐射。此辐射能量的峰值经常出现在35MHz～45MHz之间发生自激振荡。
静电可被定义为物质表面累积的静态电荷或静态电荷之间交互作用累积的电荷。电气过应力(EOS)和静电放电(ESD)是电子行业面临的重大挑战之一。通常来说，半导体行业中超过三分之一的现场故障都是由ESD引起的。ESD导致的半导体故障表现为漏电、短路、烧毁、接触损伤、栅氧缺陷、电阻金属接口损坏等。
Mentor Graphics公司日前宣布瑞昱半导体股份有限公司(Realtek Semiconductor Corp.)目前已开始使用Calibre® PERC™产品作为该公司的生产验证工具，用于对其产品设计进行复杂的电学特性检查(ERC)。这些检查有力地保护电路可靠性等重大问题，以避免产生包括静电放电(ESD)在内的潜在风险。Calibre PERC产品取代了此前基于SPI
静电放电(ESD)会给电子设备带来软损伤或硬损伤这样破坏性的后果，但是随着消费者对产品的小型化和功能多样化的追求，这一问题变得更加突出。ESD会造成手机工作异常、死机，甚至损坏手机，因而当今的设计工程师必须考虑如何为设备提供最有效的ESD保护，同时满足系统尺寸和成本的要求。
静电放电(ESD)会给电子设备带来软损伤或硬损伤这样破坏性的后果，但是随着消费者对产品的小型化和功能多样化的追求，这一问题变得更加突出。首先，外形尺寸的减小将使得集成电路(IC)变得更加脆弱;其次，伴随功能多样化增加的输入输出接口为ESD的进入提供了路径。以手机为例，屏幕、摄像头、扬声器、听筒、耳机插口、键区、MIC、USB接口、音量键、T-Flash卡、SIM卡等都可能成为ESD的进入点。ESD
该方案所占体积小、成本低对静电放电ESD及电磁干扰EMI的防护效果很好，实用性强。
Littelfuse公司(电路保护领域的全球领先企业)现已推出SRDA05系列SPA®瞬态抑制二极管阵列。 SRDA05系列专门用于保护电信数据线路不受静电放电(ESD)和高浪涌事故的危害，可提供比市场上同类设备高20%的功率和浪涌处理能力。通过将低电容控向二极管与一个附加的齐纳二极管整合在一起，SRDA05可提供比行业标准更高的电气威胁设计余量，同时在不降低性能的前提下提高ESD保护性能
Littelfuse公司出品的SRDA05系列TVS二极管阵列(SPA Diodes)将一个额外齐纳二极管集成到低电容转向二极管，以保护通信数据线免受静电放电(ESD)和高浪涌事件的损害，与市场上竞争产品相比，增强功率和浪涌处理能力高达20%。
