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随着 AI 服务器持续向更高算力密度演进，数据中心供电架构也在快速变化。电源系统面对的不只是功率提升，还有更快的负载变化、更高的峰值功率，以及更长时间的系统级验证需求。
AI的迅猛发展对算力提出了极致的需求，同时驱动服务器电源向高压化及高功率密度方向全面变革。AOS在 AI 电源整个电源转换链都布局了传统Si基和第三代半导体产品。
全新2200V PowiGaN™技术，可帮助AI数据中心、电动汽车、光伏及高压直流基础设施实现更高功率密度与系统运行效率，同时助力搭建安全性更高、结构更精简的电力系统方案。
高功率USB-C端口（功率可达240W）的工作电压高达48V、电流高达5A，远高于以往的USB标准，这正是过压和过流保护之所以必需的原因。
日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited推出其全新的aMOS E2™ 600V超结MOSFET平台。满足新一代高性能电源与太阳能逆变器对极致效率、超高功率密度及卓越稳健性的严苛需求。
3 月 23 日至 26 日，在德克萨斯州圣安东尼奥市举行的 2026 年应用电力电子技术展览会 (APEC) 上，TI 将展示这些创新。
随着AI算力需求的爆发式增长，AI服务器电源正面临高效率、高功率密度与高可靠性的全新挑战。
市面上有一些功率高达2kW且带有集成式储能系统的微型逆变器。当系统需要更高功率时，也可以选用连接了储能系统的串式逆变器或混合串式逆变器。
日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出采用DFN3.3x3.3源极朝下（Source Down）封装技术的AONK40202 25V MOSFET。
高功率密度模块使大型望远镜能够追溯宇宙历史
