AOTL037V60DE2是基于αMOS E2™ 600V新平台的首款高压MOSFET产品，满足新一代高性能电源与太阳能逆变器对极致效率、超高功率密度及卓越稳健性的严苛需求。

日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出其全新的aMOS E2™ 600V超结MOSFET平台。作为该平台率先推出的产品，AOTL037V60DE2 600V MOSFET旨在满足服务器电源、电信整流器、太阳能逆变器及工业电机驱动等应用对更高效率与功率密度的迫切需求。

现如今中高功率开关电源（SMPS）与太阳能逆变器系统的设计挑战，可归纳为四大核心需求：提升效率、增加功率密度、降低系统总成本，并确保极高的可靠性。为满足这一综合性挑战，高压超结MOSFET已成为关键拓扑架构的首选元件，被广泛采纳于图腾柱PFC慢速开关臂、LLC谐振变换器、移相全桥（PSFB）及循环变换器（Cyclo-converter）等先进拓扑结构。这些应用场景对元件的性能要求极高，而高压超结MOSFET的导入，正好能够提供更高的能效、更佳的功率密度以及更稳健的系统表现。

AOS公司推出的先进aMOS E2™高压超结MOSFET平台，集成了坚固耐用的内置体二极管，旨在可靠应对严苛的换流工况。该设计尤其适用于短路或启动瞬态等异常情况下的续流二极管反向恢复过程，确保系统稳定。首款推出的MOSFET产品，AOTL037V60DE2，采用TOLL封装，最大导通电阻RDS(ON)低至37mΩ。经AOS应用工程团队评估，aMOS E2™的体二极管展现卓越的耐用性：在结温 150°C、特定正向电流条件下，可承受高达di/dt=1300A/µs的严苛电流变化率。测试进一步证实，与同类MOSFET相比，AOTL037V60DE2具备更优异的雪崩非钳位感性开关能力以及更长的短路耐受时间(SCWT)。这种全面增强的耐用性直接转化为更高的系统级可靠性，即使在异常运行条件下也能保持性能稳定，为电源与逆变系统的稳健设计提供关键保障。

我们设计aMOS E2™平台及高压MOSFET，目的在于满足AC/DC电源供应器，以及DC/DC转换器和DC/AC逆变器的需求。在这些应用中，如何同时达到高功率密度与高效率始终是一项重大挑战。凭借AOS在MOSFET工程领域的专业积淀，我们深知aMOS E2™平台及AOTL037V60DE2的突破性能力能够解决这些挑战，协助中高功率应用（涵盖了电源供应器、太阳能光伏逆变器以及DC/DC转换器）的设计者，有效满足当前以及未来在能效、耐用性及优化成本的综合需求。

——Simon Yu

AOS MOSFET产品线资深经理

技术亮点

●专为软开关拓扑优化，具备极低的开关损耗

●体二极管坚固耐用，反向恢复电荷（Qrr）更小，适用于严苛的高应力应用

●鲁棒性全面增强，具有优异的雪崩能量（UIS）、浪涌电流处理能力及宽范围安全工作区（SOA）

●有效防止误开启，确保动态工作条件下的运行可靠性

●广泛适用于高效拓扑，包括图腾柱PFC、LLC、移相全桥（PSFB）及临界导通模式H-4/循环逆变器。