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2026年1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。
12月6日，本届国际电子器件大会（IEDM 2025）于旧金山召开，中国半导体力量成为聚光灯下的焦点。在全球顶尖学术舞台上，中国机构合计贡献了101篇入选论文。
2025年12月1日，澎湃微电子上海公司将搬迁至张江新办公室!新办公室地址位于张江·创新园11栋503室，整体面积得到拓展，布局得到优化，为员工提供了一个更好的工作空间。
该公司正在与英伟达(NVIDIA)合作开发800VDC供电架构；新发布的白皮书剖析了1250V PowiGaN技术相较于650V GaN和1200V SiC的优势
紧凑型SOD-123FL瞬态抑制二极管的峰值功率比SZSMF4L系列高出50%，帮助工程师保护空间有限的电动汽车和汽车电子产品免受高压浪涌的影响。
今日，寒武纪股价突破1200元!8月单月涨幅100%、市值站上5200亿，成为继贵州茅台之后的A股史上第二只千元股。
易冲半导体推出的CPSQ5462和CPSQ5464系列产品, 适用于ADB车灯应用，提供12通道或16通道的矩阵控制。
在AI服务器电源走向高压大功率之际，东芝围绕SiC、GaN到低压MOSFET三大产品线，通过结构与封装优化，降低导阻、抑制漂移与热设计等三大领域的的创新，建立场景适配能力。
本文旨在研究在不同煅烧温度下Zn7Sb2O12尖晶石陶瓷的结构和电性能, 采用化学共沉淀法合成了尖晶石Zn7Sb2O12陶瓷粉体，并将陶瓷坯体在1000℃、1100℃和1200℃的空气中煅烧2小时。通过X光衍射（XRD）、电流-电压（E-J）测量和阻抗分析仪研究了Zn7Sb2O12陶瓷材料的结构和电学特性。
提供1.9A拉电流和2.3A灌电流输出，以实现稳健的栅极驱动性能并提高开关效率
