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联华电子携手智原已经完成并交付3亿逻辑门(300-million gate count)系统单芯片解决方案。此款3亿逻辑门SoC是采用联华电子40nm工艺。SRAM容量高达100MB，可为高级通讯产品提供优异的网路频宽，满足高速而稳定的传输需求，以因应新一代通讯产品需求。
最近采用40nm工艺制程的MCU纷纷亮相，来自瑞萨电子2月底发布了车载用途32bit MCU“RH850”系列，因采用40nm技术实现了低功耗。飞思卡尔半导体于3月份发布了混载有MCU用内核“Cortex-M4”与应用处理器用内核“Cortex-A5”的“Vybrid”系列，通过高集成度40nm工艺制程发布40nm的MCU用内置闪存技术，现今MCU不如40nm工艺时代......
预计自2012年秋季起供货，应用于瑞萨电子汽车微控制器(MCU).
灿芯半导体与新思科技有限公司(Synopsys， Inc.，)及中芯国际深度合作，使灿芯自主研发的40nm芯片一次性流片成功。这颗芯片集成了Synopsys DesignWare® 嵌入式存储器和逻辑库，以及中芯国际自主研发的PLL、I/O等关键IP部件，成功验证了灿芯半导体在40nm工艺线上的前端和后端设计流程。
新思科技有限公司日前宣布：英飞凌科技（西安）有限公司通过采用新思完整的、基于统一功率格式（UPF）的低功耗综合、物理实现和验证流程，完成了国内首款采用40nm工艺技术的3G智能手机基带处理器设计，并按照时间计划成功实现一次流片成功。
全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司（Xilinx， Inc.）与全球领先的半导体代工厂商联华电子(UMC)今天共同宣布，采用联华电子高性能40nm工艺的Virtex®-6 FPGA，已经完全通过生产前的验证。这是双方工程团队为进一步提升良率、增强可靠性并缩短生产周期而努力合作的成果。Virtex-6系列通过生产验证，意味着联华电子继2009年3月发布首批基于40nm工艺的器件后，正式
从台积电推迟40nm工艺看产业链发展形势
