三星40nm工艺制造32Gbit NAND闪存 采用全新单元结构
2006-09-20 13:33:58
来源：半导体器件应用网
三星宣布率先在业界开发出了使用40nm半导体技术的存储芯片。此次开发的是32Gbit NAND闪存。通过将内存单元结构由原来的浮动栅型改为CTF（Charge Trap Flash）结构，实现了大容量。
CTF结构中，将存储单元的电荷蓄积部分由浮动栅型采用的多晶硅改为氮化膜（SiN）。这样就减小了原来的浮动栅型闪存微细化的主要障碍——存储单元间的干扰。三星此次的存储单元采用的是被称作TANOS（tantalum aluminum oxide nitride oxide silicon）的结构，控制栅采用TaN、控制栅和氮化膜间的氧化物使用氧化铝。
通过采用CTF型的单元结构，为今后半导体技术向20nm迈进奠定了基础。这样，容量达256Gbit的NAND闪存就有望实现。
另外，通过组合使用32Gbit NAND闪存，还可以实现最大容量64GB的小型存储卡。如果实现如此大的容量的话，DVD画质的影像可以存储64小时以上，MP3格式的音乐可以存储约1万6000首。
本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；
暂无评论