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IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文讨论隔离驱动IGBT等功率器件的技巧。
IGBT，PowerMOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文通过Avago参与的八大问答讨论隔离驱动IGBT等功率器件的技巧。
嵌入式非挥发性内存领导厂商力旺电子日前宣布，多次可程序(Multiple Times Programmable， MTP) 嵌入式非挥发性内存NeoEE技术已打入BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工艺平台，并积极与台系及美系重量级专业液晶显屏电源管理芯片设计公司进行合作，已成功将NeoEE硅智财应用于P-Gamma芯片(可编程伽玛校正缓冲电路芯片)解决方案，且藉由BCD工艺平台，加速促
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型功率管，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，综合了以上这两种优点，使得其非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
茂矽电子与富鼎先进将合作开发电动车(EV)高功率绝缘闸双极型电晶体(Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT)元件。茂矽电子与富鼎先进联合申请的「绿能车用高功率IGBT元件技术开发计画」日前获经济部「业界科专计画」审议通过，未来茂矽电子、富鼎先进将与工研院电光所进一步合作，透过雷射煺火(Laser Anneal)製程开发适用于电动车的高功率IGBT，防堵中国大
可植入、可消化、可互动、可互操作以及支持因特网，这些医疗设备现在及未来独特的需求都要求合适的IC工艺技术与封装。本文将对医疗半导体器件采用的双极性(bipolar)与CMOS工艺进行比较，并将对需要重点注意的部分封装问题进行阐述。
IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。
华虹NEC的电源管理技术整合了Bipolar、CMOS和DMOS三种器件于一体，融合了MOS器件Bipolar器件和功率MOS器件的优点，被公认是电源及电池保护与控制、DC-DC转换器、电池充电保护以及大功率LED驱动芯片的最佳工艺选择。
恩智浦半导体是RF power 技术的引领者，从过去的Bipolar到现在的LDMOS，以及将来的GaN功放管，恩智浦始终引领着市场发展，其RF power产品应用已经覆盖了广播、通信、微波等多个领域。工科医（ISM），作为一个新兴的应用，也越来越多地采用LDMOS。
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT)是MOSFET与GTR的复合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点，又包含了GTR的载流量大、阻断电压高等多项优点．是取代GTR的理想开关器件。IGBT目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，广泛应用于各类固态电源中。IGBT的工作状态直接影响整
