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高性能模拟、混合信号、处理知识产权(IP)以及ASIC设计的行业领先供应商Dolphin Design，成功流片了首款包含最先进音频IP的12纳米FinFet测试芯片，达到一个重要里程碑。
在半导体性能创新方面，专家们正专注于三个方面：高级的新材料，比如石墨烯和取代硅的碳纳米管;基于3D堆叠的半导体工艺技术;结合存储器和非存储器芯片的单芯片方案。通过成功制造3D NAND闪存和14 nm的FINFET，三星电子已经开始新的探索。存储器和非存储器芯片之间的集成还在持续。
在Synopsys 的协助下，台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm 制程FinFET产品的制造，而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现这一目标又迈进了一步，当然流片完成之后还需要对过程工艺等等项目进行完善和改进，还有大量工作要做。
Altera的14奈米(nm)三闸极电晶体(Tri-gate Transistor)制程可望于明年启动量产。面对赛灵思(Xilinx)即将于2014年采用台积电16奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程，生产首批现场系统单晶片可编程闸阵列(SoC FPGA)，Altera亦不干示弱，于日前宣布将于2013年底前提供14奈米的SoC FPGA测试晶片，预计于2014年正式投产14奈米SoC FPGA
日前ARM已正式对外公布2013年Q1财报，营收同样继续维持成长，主要营收的大多比重皆是来自于IP技术授权(ARMv8、Mali、big.LITTLE技术)。
矽智财大厂英商安谋(ARM)及台积电扩大合作，安谋针对台积电28纳米HPM制程，推出以ARMv8指令集为架构的Cortex-A57与Cortex-A53处理器优化套件矽智财(POPIP)解决方案，并同时发布针对台积电16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术的POPIP产品蓝图。
ARM近日宣布针对台积公司28HPM(移动高性能)工艺技术，推出基于ARMv8架构的Cortex-A57与Cortex-A53处理器优化包(POP)IP产品，并同时发布针对台积公司16纳米 FinFET工艺技术的POP IP产品路线图。POP技术是ARM全面实现策略中的重要一环，能让ARM的合作伙伴突破功耗、性能与面积优化等限制，迅速完成双核与四核实现。这一解决方案可帮助优化基于Cortex处理器
Cadence设计系统公司(Cadence Design Systems， Inc.)(纳斯达克代码：CDNS)今日宣布与TSMC签订了一项长期合作协议，共同开发16纳米FinFET技术，以其适用于移动、网络、服务器和FPGA等诸多应用领域。
ARM 与台积公司今天共同宣布，首个采用FinFET工艺技术生产的ARM Cortex-A57处理器已成功流片。Cortex-A57处理器为ARM旗下性能最高的处理器，能进一步提升移动与企业运算所需的效能，包括高级计算机、平板电脑与服务器等运算密集的应用。这项合作展现了双方在台积公司的FinFET工艺技术上，共同优化64位ARMv8处理器系列所打造的全新里程碑。借助ARM Artisan®
在新思科技(Synopsys)于美国硅谷举行年度使用者大会上，参与一场座谈会的产业专家表示，鳍式电晶体(FinFET)虽有发展潜力，但也有风险，而且该技术的最佳时机尚未达到。
