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Power Integrations正式发布其新一代2200V PowiGaN™技术，这是其继750V、900V、1250V和1700V之后，再次将GaN器件耐压等级向上推进。
固态变压器（Solid-State Transformer , SST）是一种基于电力电子变换技术的高频电力转换装置。其通过半导体器件（如SiC/GaN）替代传统变压器的铁芯绕组，实现电压变换与能量控制。
全新2200V PowiGaN™技术，可帮助AI数据中心、电动汽车、光伏及高压直流基础设施实现更高功率密度与系统运行效率，同时助力搭建安全性更高、结构更精简的电力系统方案。
半导体巨头英飞凌与英诺赛科的氮化镓之争落下帷幕，中国最高法一锤定音禁售英飞凌相关GaN产品
新款紧凑、超薄电源设计采用高集成度、1700V额定耐压的PowiGaN™单HEMT IC，可节省空间、简化方案、提升可靠性并减少BOM元件数，同时实现高达88%的效率
2026年3月23日，知名高压集成电路开发商 Power Integrations（PI）宣布推出突破性的 TOPSwitchGaN™ 系列反激式开关IC 。
新款TOPSwitchGaN IC将输出功率提升一倍以上，同时降低系统成本、简化系统结构并缩短设计周期
太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。
Omdia预测双相液冷技术CAGR将达59%！SiC/GaN、高性能MCU及传感器等半导体器件如何重构数据中心价值链？
GaN是一种新型的半导体材料，它是氮和镓的化合物，也是一种宽禁带半导体材料。GaN具备带隙大（3.4eV）、绝缘破坏电场大（2×106V/cm）及饱和漂移速度大（2.7×107cm/s）等特点,能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。氮化镓通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。
