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制造自由，正在成为半导体产业的结构能力。这场合作预演了应对高关税政策的生产交付路径重构。
更高效、更紧凑的GaN电机驱动方案，正在推动机器人、家电和新能源汽车的电机技术升级。
Microchip推出集成SiP/SoC的SAMA7D65系列微处理器;英飞凌带来采用新型硅封装的CoolGaN™ G3晶体管;辰达半导体发布40V N 沟道增强型MOSFET：MDD210N40P。
英飞凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM产品非常适用于应对数据中心机架和电源供应单元（PSU）电力需求增长所需的新架构和AC-DC配电配置。
过去几十年间，人口和经济活动的快速增长推动了全球能源消耗的稳步增长，并且预计这一趋势还将持续。这种增长是线下与线上活动共同作用的结果。因此，数据中心的快速扩张显著增加了全球电力需求。
人们对更小、更高效电源的需求不断增长，进而推动着基于氮化镓(GaN)的功率级快速普及。在交流/直流适配器市场中，制造商正在迅速利用GaN反激式转换器，通过功能越来越强大但尺寸越来越小的适配器，帮助扩大USB Type-C®接口的市场规模。
PI近日宣布推出1700V氮化镓(GaN)开关IC，这一技术突破有哪些亮点?它将如何影响高压氮化镓市场?
美国加利福尼亚州圣何塞，2024年11月4日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今日推出InnoMux™-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN™技术制造而成，是业界首款1700V氮化镓开关IC。
采用纳微专利的DPAK-4L封装的高度集成氮化镓功率芯片，具有智能化电磁干扰(EMI)控制和无损电流感测功能，助力打造业界最快、最小、最高效的解决方案。
中科重仪半导体科技有限公司（简称“中科重仪”）作为第三代半导体氮化镓（GaN）材料生产与技术应用的国家级高新技术企业，将携多款MOCVD设备及氮化镓外延片产品亮相此次展会。
