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英飞凌就其GaN相关的美国专利对英诺赛科提起诉讼,目前正在寻求永久禁令!
相较于传统的两级架构,这款新GaN电源IC采用750V PowiGaN™氮化镓开关管、零电压开关(无需有源钳位)和同步整流技术,且无需使用单独的DC-DC变换级,可精简PCB元件数目,效率提升实现高达10%。
英飞凌近日完成了对氮化镓系统公司(GaN Systems)的收购,8.3亿美元的收购价格是2022年氮化镓市场总值的近5倍。到底是什么原因让英飞凌如此大手笔?
ECCE 2023,田纳西州纳什维尔 - 2023年10月30日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。
为进一步满足消费电子和工业设备的电源提出的更高节能要求,以实现社会的可持续发展,罗姆开发出集650V GaN HEMT和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。
氮化镓技术,通常称为 GaN,是一种宽带隙半导体材料,越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心,这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。
英飞凌科技股份公司提供CoolSiC™以及CoolGaN™等电源解决方案,可提升能源效率。这使其成为可持续设计的关键和能源转型的重要基石。
900V耐压的GaN器件,为汽车、工业及家电类应用提供优质选择。
2023年3月20日讯,深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations宣布推出900V氮化镓(GaN)器件,为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题,因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中, GaN 能够提高功率密度和效率,因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。