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2026年3月23日，知名高压集成电路开发商 Power Integrations（PI）宣布推出突破性的 TOPSwitchGaN™ 系列反激式开关IC 。
新款TOPSwitchGaN IC将输出功率提升一倍以上，同时降低系统成本、简化系统结构并缩短设计周期
太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。
Omdia预测双相液冷技术CAGR将达59%！SiC/GaN、高性能MCU及传感器等半导体器件如何重构数据中心价值链？
GaN是一种新型的半导体材料，它是氮和镓的化合物，也是一种宽禁带半导体材料。GaN具备带隙大（3.4eV）、绝缘破坏电场大（2×106V/cm）及饱和漂移速度大（2.7×107cm/s）等特点,能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。氮化镓通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。
日均省电超82万度！GaN电源模块破解AI服务器“电荒”难题，年省电近3亿度。国产第三代半导体加速落地，成为AI算力中心节能增效与换道超车的关键突破。
2025年11月6日，第十一届高校电力电子应用设计大赛总决赛拉开帷幕。镓创晶合与台达电子共同主办AI电路设计赛道，本次比赛共有一百余家高校派队报名参加，有19支队伍最终进入围赛道决赛，比赛热情高涨。
2025年11月8日苏州镓创晶合科技公司携最新氮化镓应用方案参加中国电源学会举办第二十八界学术年会。本次年会有3000+参会代表和7000+人次专业观众到场。本次大会是一场电力电子和电源行业备受瞩目的行业学术交流和产业合作平台。
为促进车规半导体芯片产业链技术升级和行业发展，10月31日，“2025’半导体技术赋能车规芯片创新交流会——广州小鹏汽车科技有限公司”专场在广州隆重举行，车规半导体芯片产业链上下游企业共话行业与半导体技术发展趋势与未来。
该公司正在与英伟达(NVIDIA)合作开发800VDC供电架构；新发布的白皮书剖析了1250V PowiGaN技术相较于650V GaN和1200V SiC的优势
