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英飞凌科技股份公司推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。
意法半导体的碳化硅MOSFET技术，不但每单位面积的导通电阻非常之低，切换效能绝佳，而且跟传统的硅基续流二极体(FWD)相比，内接二极体关闭时的反向恢复能量仍在可忽略范围内。
2013年5月20日，德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司(FSE代码: IFX / OTCQX代码: IFNNY)进一步壮大其高压产品组合，推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。
高密度稳压器便随着最新IC集成度的提高、MOSFET技术的提升及封装工艺的改良而不断发展。纵使这样，这些稳压器还是无法满足新系统的应用要求。尤其是系统内部的功率密度正日益提高。
SJ MOSFET技术市场有2/3皆应用于消费型产品，像是桌上型电脑或是游戏机的电源供应器，虽然这些产品的市场需求衰煺，但SJ MOSFET在其他产品的应用却如雨后春笋出现，其中以平板电脑的电源供应器最具成长空间，预估在2013至2018年间将有高达32%的复合年成长率。
发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求，本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构，着重介绍了IGBT和MOSFET技术，实现智能控制是发展太阳能逆变器技术的关键。
MOSFET技术的一些进展以及创新的磁滞降压控制器栅极驱动电路带来了一种超低成本DC电源。
开关电源的设计人员需要能够耐受反向电流尖刺并降低开关损耗的高电压MOSFET器件，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)凭借精深的MOSFET技术知识，开发出经优化的功率MOSFET产品UniFET™ II MOSFET，新产品具有更佳的体二极管和更低的开关损耗，并可在二极管恢复dv/dt模式下耐受双倍电流应力。
