英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装， 为现代汽车应用提供更高效率
2024-04-12 11:15:31
来源：英飞凌
点击：1626
【2024年4月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY)推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计，并更大程度地降低未来汽车电源设计的冷却要求和PCB系统成本。因此，SSO10T TSC适用于电动助力转向(EPS)、电子机械制动(EMB)、配电、无刷直流驱动器(BLDC)、安全开关、反向电池和DCDC转换器等应用。
PG-LHDSO-10-1-2-3组合
SSO10T TSC的占板面积为5 x 7 mm²，并且基于已确立的PCB行业标准 SSO8(5 x 6 mm²的坚固外壳)。但由于采用了顶部冷却，SSO10 TSC的性能比标准SSO8高出 20%以上，最高可高出50%(具体取决于所使用的热界面(TIM)材料和TIM的厚度)。SSO10T TSC封装被JEDEC列为开放市场产品，能够与开放市场第二供应商的PCB产品进行广泛兼容。因此，该PCB系统封装可作为未来顶部冷却标准快速、轻松地推出。
SSO10T半导体封装能够实现高度紧凑的PCB设计，减少系统占用空间。它还通过消除通孔降低了冷却设计的成本，进而减少了整体PCB系统成本和PCB设计工作量。同时，该封装还提供高功率密度和高效率，从而支持面向未来的可持续汽车的发展。
供货情况
首批采用SSO10T的40 V汽车MOSFET产品现已上市，分别是：IAUCN04S6N007T、IAUCN04S6N009T、IAUCN04S6N013T和IAUCN04S6N017T。
声明：转载此文是出于传递更多信息之目的。若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益，请与我们联系，我们将及时更正、删除，谢谢。
暂无评论