搜索结果：找到 “关键字” 相关内容 91个， 当前显示 10 条，共 10 页
2016年6月2日，台北讯 ——在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO)，今日推出了SM2258这款全球首个交钥匙式ASIC/固件 SATA 6Gb/s SSD控制器解决方案，可支持所有主流NAND供应商最新发布的3D TLC NAND产品。
在半导体性能创新方面，专家们正专注于三个方面：高级的新材料，比如石墨烯和取代硅的碳纳米管;基于3D堆叠的半导体工艺技术;结合存储器和非存储器芯片的单芯片方案。通过成功制造3D NAND闪存和14 nm的FINFET，三星电子已经开始新的探索。存储器和非存储器芯片之间的集成还在持续。
在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO)近日宣布推出其专为车载信息娱乐(IVI)系统设计的汽车级PATA及SATA FerriSSD解决方案。
尽管半导体技术的发展已经进入成熟阶段，但其革新将会继续进行。存储器方面，NAND闪存的容量目前正以超过穆尔法则的速度，即3倍的年率不断扩大。
三星电子近日表示，已在全球最先开始量产突破半导体技术极限的新概念3D垂直堆叠型结构NAND闪存芯片(3D Vertical NAND, 3D V-NAND)。
东芝公司(Toshiba)宣布将在今年八月激活位于日本三重县四日市的 Fab 5 新厂第二期工程，准备增加 NAND 闪存的制造产能，同时转移至 3D NAND 生产。
东芝公司(Toshiba Corporation)已经开发出第二代19纳米工艺技术，该技术将于本月晚些时候用于量产每单元2比特的64吉比特NAND存储芯片。
随着多媒体数据传输的日益普及，高清影片和高画质图片等多媒体资料的数据容量早已突破GB级。这样大的数据容量，传统的传输方式往往要花费数分至数十分钟不等。拥有Flash高速储存技术的IC设计公司银灿科技(Innostor)于IIC China 2013展会亮相，展出了其USB 3.0方案芯片IS916，USB 3.0转SATA/PATA方案芯片IS611，以及最新的USB 3.0双通道NAND闪存控制
IC设计公司慧荣科技(Silicon Motion)在固态储存设备的NAND闪存控制芯片和专业射频IC市场居领先地位。其产品广泛使用于多款目前市面上流行的智能手机，及其他的移动通信设备和计算机。本届IIC China 2013展会上，该公司携其USB3.0显示模组、单芯片固态硬盘等产品亮相，并介绍了FerriSSD、LynxUSB等产品信息。
