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随着智能型手机应用面愈趋多样化，电信业者无不积极布建新一代(4G)通讯系统，以更高更多的带宽与频段，满足应用开发业者提供更方便的新功能吸引消费者。
RFMD 的新型 RFFM8xxx系列为 Wi-Fi 系统提供了单个前端模块 (FEMs) 的全集成解决方案。超小型的形状因数和集成的匹配使客户应用中的布局面积缩减至最小，并且大大减少了外部组件的数量。通过减少材料清单、系统尺寸及制造成本，这样简化了整个前端解决方案。这些器件均采用 2.5mm x 2.5mm x 0.45mm、16 引脚的 QFN 封装。
RF Micro Devices (RFMD)日前宣布收购 Amalfi Semiconductor (简称Amalfi) 的最终协议。Amalfi为一家专为快速成长的入门级智能手机市场提供高成本效益、高性能RF和混合信号IC之领导级无晶圆厂半导体公司。
RFMD 的新型 RFHA104x 系列高功率氮化镓 (GaN) 宽频功率晶体管 (BPT) 经过优化，适用于军事通信、商用无线基础设施和普通应用。由于采用了为满足高峰均比应用而优化的先进的 65V 高功率密度氮化镓 (GaN) 半导体工艺，这些高性能放大器可在单个放大器设计和宽频率范围内提供高效率和平坦增益、从而实现了高功率。
高性能射频组件设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices， Inc.(Nasdaq 股市代号：RFMD)日前宣布就收购 Amalfi Semiconductor (Amalfi) 达成最终协议。Amalfi 是一家专注于为快速增长的初级智能手机市场提供高成本效益、高性能射频及混合信号IC 的领先半导体设计公司。
RFMD公司周一宣布已经签署最终协议，将以4750万美元现金来收购RF和混合信号的芯片公司Amalfi半导体。
日前，设计与制造高性能射频系统与解决方案的RF Micro Devices(RFMD)宣布推出专有微机电系统(MEMS)——面向 RF及其他应用的技术。RFMD期望其专有的MEMS技术将在RF及其他应用中实现突破性的性能及空前水平的功能整合。RFMD是开发面向低成本整合RF应用的MEMS技术的先驱者，公司自2004年起便已开始积极进行MEMS技术的商业化。RFMD期望其专有的MEMS技术将在RF及
RFMD全新的RF5836以单个前端模块 (FEM)方式为 WiFi 802.11a/n 系统提供完整的集成解决方案。超小型的形状因数和集成配套使客户应用中的布局面积缩减至最小，并且大大减少了外部组件的数量。
RFMD 的 RFSA2614 和 RFSA2624 数字步进衰减器 (DSAs) 主要应用了串行或并行模式编程的 6 位设计，频率覆盖范围是 50MHz 至 4000MHz。 无线电设计人员可使用 RFMD 数字步进衰减器来调整高线性接收和传输通道的增益，这些增益范围宽至 31.5dB 以上，步进分辨率为 0.5dB。 新型数字步进衰减器拥有业界领先的性能，主要体现在出众的 200 纳秒解决时间
美国、北卡罗来纳州、Gr e en s bo r o - 2 01 0 年 4 月 8日 - 日前，设计与制造高性能射频元件及复合半导体技术的全球领先者 RF Micro Devices， Inc. 公司（Nasdaq 股市代号：RFMD）宣布推出 ML2730，这是一款具有整合功率放大器 (PA) 及低噪声放大器 (LNA) 的单片全面整合FSK（Frequency Shift Keyed）的收
