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最近一周，多家半导体大厂发布新品，其中英飞凌推出了D²PAK和DPAK封装的 TRENCHSTOP™的IGBT7系列器件，兆易创新、极海半导体等也在MCU、电机控制专用栅极驱动器等领域取得产品最新进展。
英飞凌科技股份有限公司推出用于电机驱动的低功耗CIPOS™ Maxi智能功率模块 (IPM) 系列，进一步扩展了其第七代TRENCHSTOP™ IGBT7电机产品系列。
英飞凌科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。
南京华瑞微集成电路有限公司成立于2018年5月，是一家集功率器件产品研发、生产、销售和服务于一体的高新技术企业。已经量产的产品包括高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS和SGT MOS，同时正在联合知名高校及研究院所，积极开展下一代新材料(SiC、GaN)功率器件的研发工作。
2016年11月24日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出英飞凌(Infineon)最新的650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT，对传统技术的一次突破，重新界定IGBT同级最佳效能。
飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench® MOSFET，在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。该系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P沟道MOSFET。与竞争对手的器件相比，这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数(FOM)，比竞争对手提供的最佳器件还要高出67%。
前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
上海讯——英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 在上海PCIM Asia 2013 电力电子、智能运动、可再生能源管理展览会上突出展示了650V TRENCHSTOP™ 5。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 8 月1 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出12款电流等级从6A至20A的新型45V、60V和100V器件，扩大其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。器件适合商业应用，具有极低的正向压降，采用表面贴装TO-252(DPAK)封装。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 7 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MO
