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ZXGD3005E6透过分开的源、汇输出来独立控制升降时间，让设计人员实现所需的开关特性。器件的供应电压范围宽至25V，可全面强化目标MOSFET或IGBT，一方面把导通损耗减至最低，一方面又容许+15V至-5V的闸驱动电压，避免误触IGBT。

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