Diodes高电流闸驱动器将开关损耗减至最低
2011-03-24 15:55:06
来源：大比特半导体器件网
摘要： ZXGD3005E6透过分开的源、汇输出来独立控制升降时间，让设计人员实现所需的开关特性。器件的供应电压范围宽至25V，可全面强化目标MOSFET或IGBT，一方面把导通损耗减至最低，一方面又容许+15V至-5V的闸驱动电压，避免误触IGBT。
关键字： Diodes， ZXGD3005E6， 栅极驱动器， 电源， 太阳能逆变器， 马达， MOSFET， IGBT
Diodes公司推出ZXGD3005E6 10A栅极驱动器，在电源、太阳能逆变器和马达驱动电路中，实现超快速的功率MOSFET及 IGBT负载切换。这款非逆转的闸驱动器具有完善的射极跟随器配置，可提供少于10ns的传递延迟时间，和少于20ns的升降时间，从而减少开关损耗、简化电路设计和改善系统的整体可靠性。
ZXGD3005E6透过分开的源、汇输出来独立控制升降时间，让设计人员实现所需的开关特性。器件的供应电压范围宽至25V，可全面强化目标MOSFET或IGBT，一方面把导通损耗减至最低，一方面又容许+15V至-5V的闸驱动电压，避免误触IGBT。
这款高增益、高速闸驱动器，只需1mA输入电流便可提供4A典型输出电流，可作为控制器IC及不需要额外缓冲级的负载开关之间的完美接口。其稳健的设计进一步减少了增设电路的需要，有助避免锁存、击穿等问题。
该闸驱动器采用了节省空间的短小SOT26封装。其优化引脚分布更能把印刷电路板的布局化繁为简，有助减少电路板线迹内的寄生电感。
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