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随着便携式数码、智能穿戴、小型工业传感模块不断向微型集成、高速信号传输、高可靠性演进，对ESD防护器件的钳位性能、结电容、续流控制与场景适配能力提出了细分且严苛的选型要求。
当下，智能穿戴设备、便携式数码产品、工业小型模块持续向着微型化、低功耗、高可靠、多电压适配方向升级。MDD推出MDD3134KM、MDD3139KM、2N7002KM三款同封装MOSFET产品，成为智能穿戴、器件接口开关、电池保护、小型电机驱动等领域的高性价比国产优选方案。
本文分析了高速信号传输接口对静电放电 (Electrostatic Discharge, ESD)防护元件的要求及元件选型，采用片式多层技术平台设计制造开关型陶瓷静电抑制器（GESD）的功能与性能，经过测试该元件可满足高速信号传输接口ESD防护的技术要求。
ESD静电保护器件是一种过压保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。
JESD204接口可提供这种高效率，较之其前代互补金属氧化物半导体(CMOS)和低压差分信号(LVDS)产品在速度、尺寸和成本方面更有优势。
本文主要介绍了ESD静电二极管，ESD静电二极管是由几个TVS晶粒或二极管采用不同布局做成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要用于通信界面的ESD保护。
华芯微特为代表在MCU静电和能耗上等核心指标也有超越国际竞争对手的水准。值得一提的是，为了更好贯穿与落实产品向节能化、智能化、高端化发展的趋势，华芯微特将于2020年12月17日于佛山顺德铂尔曼酒店（华美达）举办“华芯微特MCU新品发布会暨屛驱和直流电机解决方案”活动。
本视频介绍安森美半导体的NIV1161，它在汽车应用环境中保护高速数据线路免受静电放电(ESD)及对电池短路的损伤。本视频我们将以一个电子系统的后视摄像为例，以展示NIV1161的特性。
静电放电(ESD)和电快速瞬变脉冲群(EFT)对仪器仪表系统会产生不同程度的危害。静电放电在5～200MHz的频率范围内产生强烈的射频辐射。此辐射能量的峰值经常出现在35MHz～45MHz之间发生自激振荡。
