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利用半导体二极管的单向导电原理和嵌位电压特性作为保护电路，该电路具有结构简单，实用性强、电压低、容性小、时间短等特点。用它来保护高速发展的以太网端口，特别是千兆的以太网端口，高性能的集成块具有很强大的保护作用，能够使精密的仪器免受瞬态电压的破坏。
本文将介绍飞兆半导体的第2代1400V场截止Shorted Anode沟道(FS-SA T)IGBT(具有不同于一般IGBT的固有体二极管)在感应加热(IH)系统中的应用，并注重介绍它在单端(SE)谐振逆变器中的效率等特性。
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N沟道SuperFET® II MOSFET系列产品，帮助设计人员解决这些挑战。
瑞萨电子公司 (TSE: 6723)，高级半导体解决方案的主要供应商，今天宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管(超级结MOSFET)(注1)，具有如下的特点：600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷，适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。这一行业领先的低导通电阻和低栅极电压的组合平台，同时结合了快速体二极管的性能，使新型RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和
2012年4月12日，德国纽必堡讯—英飞凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS™ CFDA，壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V CoolMOS™ CFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流/$直流转换器和HI
与传统硅器件相比，eGaN FET最大允许的栅极至源极电压是较低的。其次，其栅极阈值与大多数功率MOSFET相比也是较低的，但它受负温度系数的影响没那么大。第三，“体二极管”正向压降要比同等的硅MOSFET高1V。
二极管又叫半导体二极管、晶体二极管，是最常用的基本电子元件之一。二极管只往一个方向传送电流，由p型半导体和n型半导体形成的p-n结构成，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
英飞凌的最新一代高压CoolMOS™ MOSFET取得了又一项创新，设立了能效的新标准。
2011年1月19日，英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构，使得CoolMOS™ 晶体管技术不断优化，这为取得成功奠定了坚实基础。
