英飞凌搭载集成式快速体二极管的车用650V CoolMOS™ CFDA树立行业能效新标杆
摘要： 2012年4月12日，德国纽必堡讯—英飞凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流/直流转换器和HID(高强度放电)照明等谐振拓扑。
2012年4月12日，德国纽必堡讯—英飞凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流/直流转换器和HID(高强度放电)照明等谐振拓扑。
英飞凌推出的这种全新解决方案兼具快速开关超结MOSFET的所有优点：更高的轻载效率、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更易使用以及出类拔萃的可靠性等。英飞凌全新推出的650V CoolMOS CFDA，是一种卓越的解决方案，可满足汽车应用对于更高能效的要求，它具备更低的单位面积通态电阻和易于控制的开关行为，以及业界首屈一指的体二极管耐用性。体二极管重复换向时更低的Qrr 和 Qoss 值可降低开关损耗和缩短开关延迟时间。
英飞凌科技高压功率转换产品部负责人Jan-Willem Reynaerts指出：“英飞凌依托于革命性的CoolMOS 工艺，在能源效率和功率密度方面独占鳌头。650V Cool-MOS CFDA进一步壮大了CoolMOS CFD产品家族的阵容，树立了快速发展的电气化汽车的性能新标杆。”
快速电流与电压瞬变以及更软换向行为的良好可控性，有助于降低EMI(电磁干扰)，使这种新产品系列相对竞争产品具备明显优势。硬换向时，体二极管上有限的电压过冲使电路设计与PCB设计更为轻松。CoolMOS CFDA具备650V击穿电压，这意味着相对于600V击穿电压具备更高的安全裕度。
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