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日前，灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM今日联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM® Cortex™-A9 MPCore™双核测试芯片首次成功流片。
中国上海和英国剑桥——国际领先的IC设计公司及一站式服务供应商—灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)与中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”，纽约证券交易所：SMI，香港联合交易所：0981.HK)及ARM今日联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM® Cortex™-A9 MPCore™双核测试芯片首次成功流片。
