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飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench® MOSFET，在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。该系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P沟道MOSFET。与竞争对手的器件相比，这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数(FOM)，比竞争对手提供的最佳器件还要高出67%。
在满足宏蜂窝基站性能要求的前提之下，集成度究竟能够达到多高? 工艺技术仍然限定某些重要的功能部件必须采用特殊工艺来制造：在射频 (RF) 领域采用GaAs 和 SiGe 工艺，高速 ADC 采用细线 CMOS 工艺，而高品质因数 (High-Q) 滤波器则无法采用半导体材料很好地实现。此外，市场对于提高集成度的需求并没有停止。
英飞凌近日在2013应用电力电子会议暨展览会(APEC)中宣布推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了DC/DC 驱动器及MOSFET VR功率级。DrBlade包含最新一代低压DC/DC驱动器技术及OptiMOS MOSFET器件。该MOSFET 技术拥有最低的单位面积导通阻抗及针对应用优化的品质因数，能达到最高的DC/DC调压系统效率，适用于计算及电信应用
2013年3月6日 – 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新系列的可调谐射频元件(TRFC)，协助开发最新世代智能手机的工程师解决其设计挑战。这些新器件极优地结合了调谐范围、射频品质因数(Q)及频率工作，提供比现有固定频段天线更优异的解决方案。
Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布，推出全新电源转换控制器系列及其首个功率MOSFET器件系列。该全新脉宽调制(PWM)控制器与配套的低品质因数(FOM)MOSFET产品系列组合支持高效的DC/DC电源转换设计，涵盖了广泛的消费电子和工业应用。这两个全新系列彰显了Microchip对于其实现更高电压、更高效率及行业趋向的更小电源转换系统这一承诺的显著进步。
在满足宏蜂窝基站性能要求的前提下，集成度究竟能够达到多高?工艺技术仍限定了某些重要的功能部件必须采用特殊工艺来制造：在射频(RF)领域采用GaAs和SiGe工艺，高速ADC采用细线CMOS工艺，而高品质因数(High-Q)滤波器则无法用半导体材料很好地实现。此外，市场还需要更高的密度。
品质因数(FOM)是比较增强型GaN(eGaN)功率器件和先进的硅MOSFET的一个准绳。然而，在这些纯数字以外，其它与器件和封装有关的参数也会显著影响电路中的性能表现。在对器件作出比较时，我们限于比较商用的eGaN器件及把MOSFET的电压范围限制在40V到200V之间，以便作出直接比较而不需要进行推断。
现代移动通信系统从GSM到GPRS直至CDMA，频率从原来的几百Hz到了现在的900 MHz，1．8 GHz，2．4 GHz，5．8 GHz，甚至更高。与此同时，对于器件的小型化和高性能的要求却在不断提高。在微波波段，多层陶瓷介质的无源器件，如滤波器等，由于其具有小型化、易集成、设计灵活等优点而越来越受到重视。为了在器件小型化的同时，降低其损耗，以获得更高的品质因数，就需要寻求新的材料和技术。在众
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑占位面积之MOSFET产品的需求。
