场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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电机驱动器是一种电子设备,用于控制电机的速度、转向和位置。它由电源、控制电路和功率输出部分组成。通常使用交流电源或直流电源作为电源输入,并使用电子元件(如晶体管、场效应管、IGBT、功率二极管等)控制电机输出功率。
本文主要介绍了晶体三极管和场效应管,晶体三极管建成为三极管,它跟场效应管相同,都具有放大作用和电源开关特性,虽然它们的特性和外观设计都一样,但是它们的工作原理却大大不同。
2016年10月25日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下世平推出基于Vishay的 直流桥堆、Toshiba的场效应管、二极管、光耦以及TI的PWM控制器、低压场效应管、同步整流控制和USB PD控制器的,符合USB PD标准的USB Type-C 充电解决方案。
该文讲述了二极管正向浪涌电流测试的基本要求和标准测试方法,针对标准测试方法存在的不足,设计实现了采用信号控制、电容储能和大功率场效应管晶体管电流驱动的电路解决方案,简洁而又高效地实现了二极管正向浪涌电流的测试。
长期以来,直流电机以其良好的线性特性、优异的控制性能等特点成为大多数变速电子产品世界http://www.eepw.com.cn/article/87495.htm运动控制和闭环位置伺服控制系统的最佳选择。特别随着计算机在控制领域,高开关频率、全控型第二代电力半导体器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的发展,以及脉宽调制(PWM)直流调速技术的应用,直流电机得到广泛应用。
今天我们来介绍一款逆变器(见图1)主要由MOS场效应管,普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。
IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。
针对高品质音频的需求,设计了一种高保真音频放大器。该音频放大器主要由信号放大电路、功率放大电路和有源滤波电路组成,其中信号放大部分采用场效应管及运算放大器。其受外界的干扰性较小,稳定性较高,放大倍数可达到20~30倍,随需要而进行调节。功放部分采用LM4766型芯片,采用差动放大电路对信号实现音频信号的放大,失真小于百分之零点一。滤波电路采用了二阶有源低通滤波电路,对输入的音频信号进行处理。该设计
本内容为大家提供了电子经典电路设计实例PPT以供大家学习,面向实际需要,理论联系实际,通过大量具体的实验,抓住晶体管、场效应管等工作原理,以达到灵活运用这些器件设计应用电路的目的。适用对象是相关领域与部门工程技术人员以及相关专业的本科生、研究生;还有广大的电子爱好者。
TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护(RTP)器件系列的最新成员RTP200R060SA器件,该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利的、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管(MOSFET)、电容、集成电路、电阻和其他功率元器件损毁和失效所引起的热失控伤害。