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近年来，美、德等技术发达国家加强了此项外延生长技术的研究投入力度，并取得了重大的进展，处于国际领先地位。
随着集成电路产业的发展，硅芯片的很多层已经逼近原子级别。芯片技术未来的发展可能终将面对无法逾越的障碍。业界进行了很多改变，铝取代了铜;CMP技术被引入;高K铪氧化物取代硅氧化物作为晶体管(门)的基础;移动性的提升有赖于应力器件(电介质膜或源级/漏极区的选择性外延生长)。当然英特尔最近还宣布了Tri-Gate晶体管技术。今天先进的晶体管工艺(32nm以下)和十年前的130nm晶体管已经大为不同。
LED产业链主要包括衬底、外延生长、芯片制造、器件封装、应用产品5个部分，这5个部分已带动了技术支撑业和服务支撑业的发展，从衬底到终端应用产品的产业链一直在不断完善、补齐、壮大。LED产业的原材料、制造设备和测试仪器等大部分已能够由国内提供或者在国内制造，但MOCVD外延设备、部分全自动的芯片、封装设备及部分光学检测仪器，还需要进口。其他设备、仪器虽然能在国内制造，但性能方面还不如国外进口的同类设
台湾的科学家最近以氧化锌(ZnO)/蓝光有机材料复合薄膜，制作出白光发光二极管(LED)。他们利用水热法(hydrothermal method)，成功地在蓝光有机发光薄膜上生长无机ZnO纳米柱(nanorod)阵列。此技术有别于传统LED的外延生长制作方式，不仅方法简单且全程低温，对于未来发展白光光源极具吸引力。
