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飞思卡尔计划通过全新的氮化镓(GaN) RF功率晶体管产品、经过验证的400多个LDMOS RF功率晶体管和砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)产品支持广泛的A&D应用。
近日，德克萨斯州奥斯汀讯-射频功率市场的领导者飞思卡尔半导体 (NYSE: FSL) 日前推出一种先进的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 控制电路，专门用于优化飞思卡尔 Airfast Doherty 放大器的性能。
在微波集成电路中，为了抑制低频杂散，通常要使用小型化的高通滤波器，对于微波集成电路来说，微波高通滤波器一般有两大类设计方法，第一类是用集中或半集中的元件实现，高通滤波器的衰减特性由相应的低通原型的衰减特性经过适当的变换得出。
技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出完整、经济高效的 Ka 波段砷化镓 (GaAs) 射频芯片组--- TGA4541-SM、TGA4539-SM和TGC4408-SM、TGC4407-SM，用以支持甚小口径终端 (VSAT) 卫星通信系统的要求。该系列包括可变增益驱动放大器、1 W GaAs 单片微波集成电路 (MMIC) 功率放大器、分谐波上
2012年7月18日，中国上海讯 — 科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出两项新型GaN工艺：0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度，与传统技术相比，能够实现更小尺寸裸芯片和更紧凑、更高效率放大器。两项新技术均与科锐业经验证的GaN单片式微波集成电路(MMIC)技术相兼容，可应用在具有全套无
2012年5月8日，德克萨斯州奥斯汀讯 -飞思卡尔半导体公司(NYSE：FSL)日前宣布，推出一款适用于小型办公室/家庭办公室(SOHO)基站应用的新参考设计，两个高级砷化镓(GaA)单片微波集成电路(MMIC)为其提供部分支持。
科锐公司日前在巴尔的摩举行的 2011 年IEEE 国际微波研讨会上展出其 2.7~3.5 GHz(S 波段)最新封装 GaN HEMT 功率晶体管与高功率放大器 (HPA) 单片式微波集成电路(MMIC)。
科锐公司(纳斯达克：CREE)日前在巴尔的摩举行的 2011 年 IEEE 国际微波研讨会上展出业界首款面向卫星通信应用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA) 。
2010年5月10日，德克萨斯州奥斯汀市讯 －飞思卡尔半导体日前凭借推出专为无线网络应用的宏基站、中继站和家庭基站的高性能而设计和优化的四款新器件，进入砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC）市场。
