科锐展示业界首款用于卫星通信的 C 波段 GaN HEMT 单片式微波集成电路(MMIC) 高功率放大器
2011-06-23 09:45:43
来源：大比特半导体器件网
摘要： 科锐公司(纳斯达克：CREE)日前在巴尔的摩举行的 2011 年 IEEE 国际微波研讨会上展出业界首款面向卫星通信应用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA) 。
科锐公司(纳斯达克：CREE)日前在巴尔的摩举行的 2011 年 IEEE 国际微波研讨会上展出业界首款面向卫星通信应用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA) 。与现有商用 GaAs MESFET 晶体管或基于行波管的放大器相比，该产品可大幅提高性能。
科锐无线射频(RF) 总监 Jim Milligan 指出：“这是首款可为卫星通信应用提供全新高性能的 GaN MMIC 产品，因为我们的 GaN HEMT 技术可实现出色的线性效率与功率增益。我们预计 GaN 产品不但将对热管理技术产生巨大影响，还可使商用及军用卫星通信系统的尺寸更小、重量更轻。”
CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率(<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%。
该器件采用小型封装，可减小晶体管尺寸与重量，降低热管理的成本，从而实现出色的线性效率(比传统解决方案高 60%)。此外，该器件运行时需要的工作电压(28 伏特)大于 GaAs MESFET(12 伏特)，因此晶体管还支持更低流耗，可降低功率分布损耗，实现更高的整体系统效率。
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