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日本尔必达与台湾瑞晶公司近日发表联合声明称两家公司已经成功完成了4F2架构设计1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的试产，这次试产是由瑞晶的研发中心主导的。瑞晶的研发中心自去年开始正式运作，他们一直在和尔必达公司一起研发4F2 DRAM芯片产品。两家公司目前已经合力成功制造出了基于65nm设计准则的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片产品。
台湾内存厂商TMC发言人宣明智将于今日说明与DRAM技术母厂最新处理进度。据了解，日本尔必达(Elpida)是下阶段合作的协商对象；美国美光(Micron)将与南科、华亚科等合作伙伴协议解决合约问题后，再加入TMC
