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飞思卡尔计划通过全新的氮化镓(GaN) RF功率晶体管产品、经过验证的400多个LDMOS RF功率晶体管和砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)产品支持广泛的A&D应用。
恩智浦半导体近日推出业内首款双晶体管产品，具有低饱和电压特性，采用2 mm x 2 mm DFN(分立式扁平无引脚)封装。15种采用无引脚、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封装的全新产品即将上市，它们的集电极电压(VCEO)为30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。
此次推出的产品中，除了有采用三洋半导体独自技术达成的用于电源电池管理的MOSFET系列(具有业界最高水准的低导通电阻特性， 并实现了小型薄型大功率)， 低压驱动闪光用IGBT产品以外，还包括低饱和电压，射频用各种双极晶体管产品。 通过驱使独自的核心技术， 三洋在多领域为您提供理想的选择: 有最适于数字AV设备及手机设计的高性能Power&RF分立元器件， 小型高效率高功能的发动机驱动产品， 及非晶
飞思卡尔半导体，GSM EDGE，无线网络，扩大 RF 功率晶体管，产品阵容 随着基于 LDMOS（laterally-diffused metal oxide semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体）技术的三个高性能 RF 功率晶体管的推出，飞思卡尔半导体扩展了它在 GSM EDGE 无线网络方面的投入。这些器件结合了增强功能，使它们轻松集成到放大器内，同时可提供卓越的性能水平。
安森美半导体扩展业界领先的高能效、低 Vce(sat) 双极结晶体管产品系列，包括新的封装选择
