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中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。
英飞凌科技股份公司宣布推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion，为电动汽车领域的牵引逆变器确立了新的电源模块标准。
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2个型号：BSTxxxD12P4A1x1）。
电动汽车技术方面显而易见又被忽略的事实当然是里程焦虑。虽然这里的重点是电池容量，但动力传动系统和汽车系统电子设备也必须证明是高效的，并且能够在苛刻的条件下实现大功率最佳性能。正如许多权威机构所确认的，这就是 SiC 受到关注的原因。
牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件，功率级别可达 150kW 或更高。牵引逆变器的效率和性能直接影响电动汽车单次充电后的行驶里程。因此，为了构建下一代牵引逆变器系统，业界广泛采用碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 来实现更高的可靠性、效率和功率密度。
对于大功率工业系统(如电机驱动器和光伏逆变器)以及汽车系统(包括电动汽车 (EV) 充电器、牵引逆变器、车载充电器和DC/DC转换器)而言，故障检测机制必不可少。
