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6月21日，国内第三代半导体行业传来最新消息，国产SiC企业基本半导体通过港股IPO聆讯，这在某种程度上标志中国第三代半导体产业迎来利好。
高压快充有望成为新能源汽车补充能量的重要模式。高压快充驱动功率器件SiC替代IGBT，模块采用液冷散热。同时减轻整车重量、提升续航里程。
SiC非线性灭磁电阻在发电机组的灭磁过程中发挥着重要作用，对其性能特征、技术规范、以及参数选择作了表述。
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。
中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。
ROHM此次发布的参考设计可覆盖高达300kW级的输出功率范围，支持在车载设备及工业设备等广泛的应用领域中使用SiC功率模块。
Omdia预测双相液冷技术CAGR将达59%！SiC/GaN、高性能MCU及传感器等半导体器件如何重构数据中心价值链？
为促进车规半导体芯片产业链技术升级和行业发展，10月31日，“2025’半导体技术赋能车规芯片创新交流会——广州小鹏汽车科技有限公司”专场在广州隆重举行，车规半导体芯片产业链上下游企业共话行业与半导体技术发展趋势与未来。
该公司正在与英伟达(NVIDIA)合作开发800VDC供电架构；新发布的白皮书剖析了1250V PowiGaN技术相较于650V GaN和1200V SiC的优势
在AI服务器电源走向高压大功率之际，东芝围绕SiC、GaN到低压MOSFET三大产品线，通过结构与封装优化，降低导阻、抑制漂移与热设计等三大领域的的创新，建立场景适配能力。
