搜索结果:找到 “关键字” 相关内容 321个, 当前显示 10 条,共 33 页
英飞凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET,以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET,针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥(DAB)、HERIC、降压/升压和移相全桥(PSFB)拓扑结构进行了优化。
英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。
英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。
英飞凌科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司(VMAX)将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。
高性能模拟、混合信号、处理知识产权(IP)以及ASIC设计的行业领先供应商Dolphin Design,成功流片了首款包含最先进音频IP的12纳米FinFet测试芯片,达到一个重要里程碑。
半导体行业的发展需要养精蓄锐,但新的发展机遇来临时也要锐意进取。新能源产业的发展应用、新技术的创新推动以及第三代半导体SiC持续渗透,将给半导体行业带来持续性的市场增长。
以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。
美国加利福尼亚州圣何塞,2023年12月12日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可确保安全可靠的工作。
电动汽车技术方面显而易见又被忽略的事实当然是里程焦虑。虽然这里的重点是电池容量,但动力传动系统和汽车系统电子设备也必须证明是高效的,并且能够在苛刻的条件下实现大功率最佳性能。正如许多权威机构所确认的,这就是 SiC 受到关注的原因。
凭借耐高压、耐高温和高频等优越的物理特性,SiC-MOSFET有望在新能源汽车800V高压超充时代替代Si IGBT,并在主驱逆变器、充电桩、OBC、DC-DC等应用场景中加速渗透。