理想二极管是一种假设,根据题目要求假设,如为没有压降,没有损耗,反向不会击穿等理想状态。而实际二极管是达不到的。目的是为了突出重点,去除次要问题。
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汽车和工业应用中的电源系统必须处理短时间的高电压浪涌、保持负载上的调节同时避免敏感电路遭受危险瞬变的损坏。常用的保护方案需要使一个串联铁芯电感器和高值电解旁路容器 ，并辅之以一个功率瞬态压抑制高值电解旁路容器 ，并辅之以一个功率瞬态压抑制(TVS)和熔丝。
传统的无源二极管桥式整流器是一种广泛使用的电路，在需要进行AC-DC转换的地方都会用到，在大多数场合，它都体现出简单和经济划算的特点。然而在高功率应用中，二极管会消耗大量的功率，而且当采用低电压输入时，两个固有的二极管压降将大幅削减工作电压。
用肖特基二极管实现多电源系统有多种方式。例如，µTCA 网络及存储服务器等高可用性电子系统都在其冗余电源系统中采用了肖特基二极管“或”电路。二极管“或”电路还用于采用备用电源的系统，例如 AC 交流适配器和备份电池馈送。问题是，肖特基二极管由于正向压降而消耗功率，所产生的热量必须用 PCB 上专门的铜箔区散出，或者通过由螺栓固定到二极管上的散热器散出，这两种散热方式都需要占用很大的空间
LTC4225、LTC4227 和 LTC4228 通过控制外部N沟道MOSFET，为两个电源轨实现了理想二极管和热插拔功能。这些器件提供快速反向断开、平滑电源切换、有源电流限制以及状态和故障报告功能。
Linear推出一款用于 9V 至 72V系统的理想二极管桥控制器 LT4320。其采用低损耗 N 沟道 MOSFET 替代了全波桥式整流器中的全部 4 个二极管，以显著地降低功率耗散并增加可用电压。由于电源效率的提升免除了笨重的散热器，因此缩减了电源尺寸。通过免除二极管桥中固有的两个二极管压降提供了额外的裕度，低电压应用将从中获益。与传统的替代方案相比，MOSFET 桥可实现具有高空间利用率和电
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS， CA) – 2012 年 7 月 24 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具备理想二极管的浪涌电流抑制器 LTC4364，该器件能以紧凑和低损耗的解决方案在汽车、航空电子和工业系统中为 4V 至 80V 的电子设备提供保护。该浪涌抑制器将下游电子线路与输入过压和过流隔绝开来，从而能在浪涌瞬变期间连
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源 “或”，且对电源电压的干扰最小。LTC4353 调节外部 N 沟道 MOSFET 的正向压降，以在二极管“或”应用中确保电源之间的平滑转换。
2012 年 6 月 15 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源 “或”，且对电源电压的干扰最小。
凌力尔特公司推出高压理想二极管控制器 LTC4359，该器件为肖特基二极管提供了一种简单的低损耗替代方案，同时拥有适合汽车、航空电子及太阳能应用的重要特性。
2012 年 6 月 1 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高压理想二极管控制器 LTC4359，该器件为肖特基二极管提供了一种简单的低损耗替代方案，同时拥有适合汽车、航空电子及太阳能应用的重要特性。LTC4359 在 4V 至 80V 的宽电源电压范围内工作，可承受 -40V 至 100V 的输入电压而不会受损。工作电流为很低的 150&m
