电介质是一种能够被电场极化的绝缘体。在电场作用下,电介质内部的电荷会发生微观位移,但这种位移不会像导体中那样形成宏观电流,而是产生极化现象,从而影响电场的分布。例如,常见的电容器中的介质材料就是电介质,它可以增加电容器的电容值。无机电介质: 氧化物电介质:如氧化铝(Al₂O₃),它具有高介电常数、良好的绝缘性能和化学稳定性。在电子工业中,常被用作集成电路中的绝缘层,能够有效隔离不同的导电层,防止短路现象的发生。 陶瓷电介质:陶瓷材料是一种典型的无机电介质。例如钛酸钡(BaTiO₃)陶瓷,它具有很高的介电
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比利时微电子研究中心IMEC的研究人员们已经开发出一种纳米级的氧化铝铪电介质(HfAlO/Al2O3/HfAlO)堆迭,这种具氮化硅/氮化钛混合浮闸的闸间电介质可用于平面 NAND Flash 结构中,并可望推动NAND flash在20nm及其以下先进制程进一步微缩。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 6 月13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,扩充其用于高温汽车应用的VJ车用系列表面贴装多层陶瓷片式电容(MLCC)。为节约电路板空间,VJ….31 / VJ….34采用0402外形尺寸和X8R电介质。此外,也有采用X8R电介质的0603和0805外形尺寸的产品,工作电压可达10
AVX公司为汽车电子应用发布了全新符合AEC-Q200规范的射频芯片电容器。该全新 C0G (NP0) 电介质汽车电子用 “U” 系列的电容器可在 0402 和 0603的封装尺寸具有超低ESR和高Q值达到或超过了AEC-Q200规范的统一性要求。其无铅的射频芯片电容器符合RoHS标准及适用于车载的无线网络、防碰撞系统、汽车通信系统和交通警报系统的应用等。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,提高其VJ HVArc Guard®表面贴装X7R多层陶瓷片式电容器(MLCC)的最低容值。对于更低的容值,公司会提供C0G(NP0)电介质,电压范围1000V~2500V,及采用0805~2225的5种外形尺寸。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,为减少由板弯曲开裂引发的失效,推出新的VJ汽车系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC),可选的聚合物端接能够承受更高的弯曲应力。器件采用C0G(NP0)和X5R/X7R/X8R电介质,每种器件都有很多外形尺寸、电压等级和容值可供选择。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出用于MRI(磁力共振影像)设备的新系列无磁性表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ。VJ系列无磁性电容器采用C0G(NPO)和X7R/X5R电介质,提供多种外形尺寸、额定电压和电容值器件。
随着集成电路产业的发展,硅芯片的很多层已经逼近原子级别。芯片技术未来的发展可能终将面对无法逾越的障碍。业界进行了很多改变,铝取代了铜;CMP技术被引入;高K铪氧化物取代硅氧化物作为晶体管(门)的基础;移动性的提升有赖于应力器件(电介质膜或源级/漏极区的选择性外延生长)。当然英特尔最近还宣布了Tri-Gate晶体管技术。今天先进的晶体管工艺(32nm以下)和十年前的130nm晶体管已经大为不同。
在此之前的等离激元器件都只以介于金属和绝缘体(电介质)之间的界面为基础制作。但根据伯克利实验室的这项新的研究成果称,许多常见的半导体也可通过工艺加工而可以传输等离子体。该实验室的报告中也称,在掺杂空穴的半导体纳米晶体——量子点中,实现了表面等离子体共振。
旁路电容并不是十分理想的。每个电容包括一个寄生串联电感,称为引脚电感,封装电感或安装电感。每个电容还包括寄生串联电阻,称为等效串联电阻,它的作用与引脚电感一样。削弱了电容的效果。ESR是一个实数阻抗,而且不是频率函数。它的作用就像一个普通的电阻,与电容串联。每个旁路电容对温度都是敏感的。电介质的特性随温度明显地改变,导致电容的容量出现大的摆动。如果给旁路电容加上太高的电压,电容就会爆炸或短路。