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GaN是一种新型的半导体材料，它是氮和镓的化合物，也是一种宽禁带半导体材料。GaN具备带隙大（3.4eV）、绝缘破坏电场大（2×106V/cm）及饱和漂移速度大（2.7×107cm/s）等特点,能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。氮化镓通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。
本文利用仿真软件模拟了片式ZnO压敏电阻在直流工作电压下的电场电流密度分布，识别出高通流容量产品在设计时存在的通流可靠性薄弱点，即最上（下）层内电极末端电流密度异常偏大。
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，具有宽禁带的特性，从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频应用场景。
磁控溅射利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。
传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。
局部放电（partial discharge，简称PD）现象，通常主要指的是高压电气设备绝缘层在足够强的电场作用下局部范围内发生的放电，某个区域的电场强度一旦达到其介质击穿场强时，该区域就会出现放电现象。
宽禁带半导体典型代表氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)，第三代半导体相对于传统一、二代半导体其优点更为突出，如禁带宽度大、击穿电场强度强、高化学稳定性、高热导率、抗辐射好等优点，有望成为支撑众多行业发展的重要新材料。
由于SiC是硬度仅次于金刚石的超硬材料，SiC单晶和多晶材料作为磨料和刀具材料广泛应用于机械加工行业。作为半导体材料应用，相对于Si，SiC具有10倍的电场强度，高3倍的热导率，宽3倍禁带宽度，高一倍的饱和迁移速度。
三校合作，麻省阿默斯特大学、斯坦福大学、德雷斯顿大学共同研发出一种新型纳米结构，能够让有机太阳能的效率从2.2%提升到2.9%，增幅达到32%。据介绍，太阳能电池使用了两种不同类型的半导体，分别为P型和N型，相互接触组成了所谓的“PN结”，因为它会产生电场，使得光能转变为电流。
多用户智能电表是以MCU为核心、以大规模电量采集模块而构成的一种电量数据采集仪表，具有多用户电量采集、数据远程传输、用户供电控制、复费率电量计量等先进功能，体积小，功能强，深受集中供电场所如高校学生宿舍、智能化小区等用户欢迎。
