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本文主要介绍了相变存储器，它是利用硫族化合物在晶态和非晶态之间巨大的导电性来存储数据的，提升相变存储器的存储量有两种方法，分别是三维堆叠和多值技术。
宁波时代全芯公司相变存储技术拥有完全自主知识产权，已申请专利57项，正在申请的专利有141项。其研发团队由美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士马佐平等专家组成。
2012年11月26日，深圳 — 2013年将进入LTE智能手机开发高峰期，预计英特尔、高通、英飞凌和ST- Ericsson将成为主要的LTE平台解决方案供应商，相变存储器和SSD将成为LTE智能手机的主流存储解决方案。该如何选择和利用这些平台开发出有独特卖点的差异化产品? ST-Ericsson和Micron等主流供应商专家，将于12月15日下午在第四届智能手机设计工作坊上，从平台、芯片组、存
随着世界各国尤其是中美两国在智能电网上的实质性启动，智能电表市场也在起步腾飞。智能电表担负着存储客户使用信息和网络信息的作用，同时在不远的将来更多的功能也将被加入进来，如绿色能源的双向接入，终端的用户也可以把自家屋顶太阳能产生的电力传输到电网上。由于上述需求的推动，对智能电表的存储系统就提出了更高容量，成本降低控制和可靠性提高的要求。
目前，电子是多数发达国家最大的产业，并且是最迅速发展的产业。在世界各产业的销售额中，电子工业在多年以前就超过了汽车工业，集成电路也在几年前超过钢铁工业，而且它的成长率更快。
我国半导体存储器市场规模目前已接近1800亿元，但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术，国内存储器生产成本极为高昂。该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产。
由于价格贵、容量小和应用市场窄，F-RAM的市场一直做不大，在林林总总的非易失性存储器市场，如闪存、EEPROM、MRAM、非易失性RAM、相变存储器、SSD和移动硬盘等，铁电存储器(F-RAM)可能是最不起眼的一种。
恒忆（Numonyx）作为相变存储技术（PCM）的创新者，今天宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产，并向市场供货。
相变存储 (PCM) 是一项结合了现今多种存储产品类型的不同优点的非易失性内存技术，恒忆 (Numonyx) 与英特尔 (Intel) 今天宣布双方在该领域得研究中取得关键性突破。研究人员得以首次演示能够在单一芯片堆栈多层 PCM 阵列的 64Mb 测试芯片，对于随机存取非易失性存储器及存储应用而言，这些发现有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存储装置。
恒忆，三星电子，合作开发 PCM 恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co.， Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统*、高级运算装置的制造商应对设计挑战。制定针对PCM 产品的通用
