一起来谈谈存储器 它都有什么特性
一、什么叫相变存储器?
1、通称为PCM，是利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电率差别来储存数据信息的。
2、储存的工作原理：在元器件模块上施加不一样宽度和高宽的工作电压或电流脉冲信号，使相变材料发生物理相态的转变，也就是晶态(低阻态)和非晶态(高阻态)之间产生可逆相变互相变换，从而完成信息的写入(“1”)和擦除(“0”)操作。互相变换过程包括了晶态到非晶态的非晶化变化及非晶态到晶态的晶化变化两个过程，其中前面一种被称作非晶化全过程，后面一种被称作晶化全过程。随后借助精确测量比照两个物理相态间的电阻差别来完成信息的读取，这类非毁灭性的读取过程，可以保证精确地读取电子元器件模块中已储存的数据。
二、相变存储器的特性
1、相变存储器提升存储量的方法有两种：一种是三维层叠，还有一种技术是多值技术。
2、优势
a.高读写速率。相变原材料结晶体速率一般在50ns以下，载入速度更快。与一般NAND和NOR不同的是，PCM载入新数据时无需实行擦掉过程。这代表着PCM就可以从存储器直接执行代码，不用将代码读取RAM执行，而NAND和NOR则没法直接载入并运行代码。
b.使用寿命长，储存平稳。PCM是以物质的不一样相作为储存信息的方法，所以只要不超过晶化温度，一般来说不会遗失数据信息。因为它储存数据信息不牵涉电子转移等难题，相变存储器能实行的平稳读写频次达到1012～1015，与之比照ML CNAND和SLC NADA大相径庭，甚至超出了SARM和DRAM的频次。并且PCM具备抗高辐射，强震动，抗电子干扰等特点，所以在军事和严苛标准下也有非常大的立足之地。
c.相变存储器的加工工艺简单，发展潜力大。与别的一些主存储器相比，PCM的加工工艺比较容易实验。在现阶段CMOS加工工艺之上，只需在增加2～4次掩膜就可以。
d.多态储存和多层储存。多态储存也就是在同一个存储单位中储存多个数据信息。相变原材料最大电阻值和最小电阻值通常相距好几个数量级，这样就给多态储存留有了非常大的空间。多层储存是可将好几个PCM层叠起来，产生一个三维的存储阵列，从而为大容间，小空间，低功耗开拓了新路面。
以上就是对相变存储器的详细介绍，各位小伙伴们是不是更加了解了呢?相变存储器是最近几年来的产品研发成果。这也证实了中国电子信息技术发展趋势的快速，是原始创新与产业发展的紧密配合。现如今正处在电子元器件产业链的快速发展阶段，更加性能卓越的存储器可能不断的出现。
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