肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
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威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出16款新型第三代1200V碳化硅(SiC)肖特基二极管。
英飞凌科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司(VMAX)将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。
本文主要介绍了常见的7种二极管,分别是:肖特基二极管、变容二极管、稳压二极管、普通二极管、隧道二极管、发光二极管和红外接收二极管。
本文主要介绍了肖特基二极管,它的全称是肖特基势垒二极管,大部分的肖特基二极管都是用硅半导体制作的,肖特基二极管属于大电流、低功耗、超高速的半导体整流器件。
本文主要介绍了肖特基二极管和快恢复二极管有什么不同,首先从它们的反向恢复时间、工艺、构造这三个方面来进行介绍。肖特基二极管的恢复时间比快恢复二极管小一百倍左右,肖特基二极管大概是几纳秒!
本文主要从介绍了肖特基二极管的四大特性,分别是:肖特基二极管的正向导通压降与导通电流成正比,肖特基二极管在75℃时要降额使用,肖特基二极管的反向电压越大,漏电流就会越大等。
一般的二极管可以按功能来分,也可以按开关的快慢来分,压降在0.1--0.2V之间的是肖特基二极管;二极管有三个主要参数是:电流、耐压和开关的快慢。
面向解决低功率无线供电的方案把肖特基二极管电桥和LDO电压调整器组成一体的超薄电源ICXCM414系列
Power Integrations公司推出了新的Qspeed 150V二极管产品系列,LQA150具备实现低EMI的出色软度,以及最低的结电容(CJ)和最低的反向恢复电荷(QRR),分别比肖特基二极管低60%和40%。测试表明,这些器件是市场上速度最快且开关损耗最低的开关硅二极管。
用肖特基二极管实现多电源系统有多种方式。例如,µTCA 网络及存储服务器等高可用性电子系统都在其冗余电源系统中采用了肖特基二极管“或”电路。二极管“或”电路还用于采用备用电源的系统,例如 AC 交流适配器和备份电池馈送。问题是,肖特基二极管由于正向压降而消耗功率,所产生的热量必须用 PCB 上专门的铜箔区散出,或者通过由螺栓固定到二极管上的散热器散出,这两种散热方式都需要占用很大的空间