肖特基整流器,也称为肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD),是以贵金属(如金、银、铝、铂等)A为正极,N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。 肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,它也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,是一种热载流子二极管。 肖特基二极管的反向恢复时间极短,在100纳秒以下,其反向耐压值较低,一
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宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 8 月1 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出12款电流等级从6A至20A的新型45V、60V和100V器件,扩大其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。器件适合商业应用,具有极低的正向压降,采用表面贴装TO-252(DPAK)封装。
恩智浦半导体NXP SEMICONDUCTORS N.V.(NASDAQ:NXPI)近日推出采用1.0 x 0.6 x 0.37-mm超小扁平SMD塑料封装DFN1006D-2 (SOD882D)、能效比最高的肖特基整流器。这款20-V、0.5-A PMEG2005BELD肖特基势垒整流器是目前市场上尺寸最小的产品,在0.5-A正向电流下的最大正向电压为390 mV,可以显著提升电池寿命和性能。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 12 月6 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出具有高电流密度的新款45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95mm的表面贴装SlimSMA™ DO-221AC封装,正向电流为3
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月19 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器和VJ 系列无磁性 MLCC分别荣获EDN China 2012创新奖年度最佳产品奖和年度优秀产品奖,颁奖典礼11月15日在上海举行。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 10 月11 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出9款采用功率TO-220AB、TO-263AB和TO-3PW封装的170V器件,丰富和扩大了TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器系列。这些器件定位于通信电源应用,电流等级从10A至80A,在30A下的典型正向压
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日推出采用1.0 x 0.6 x 0.37-mm超小扁平SMD塑料封装DFN1006D-2 (SOD882D)、能效比最高的肖特基整流器。这款20-V、0.5-A PMEG2005BELD肖特基势垒整流器是目前市场上尺寸最小的产品,在0.5-A正向电流下的最大正向电压为390 mV,可以显著提升电池寿命和性能。
Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器,作为理想驱动二极管。同时,ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗,以及逾87%的满载效率。
日前,安森美半导体推出新系列的100伏(V)沟槽型低正向压降肖特基整流器(LVFR),用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流(DC-DC)转换器等应用。
安森美半导体功率分立分部高级总监兼总经理John Trice说:“我们的客户力求其产品设计更高能效,面市已久的平面型肖特基整流器根本无法高性价比地提供沟槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在扩展温度范围内提供优异正向压降及反向漏电流性能,超出我们客户提升电源能效的严格规格。”
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出4款提供eSMP®表面贴装和轴向引线封装选项的新器件---10A V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045,扩大其用于太阳能电池旁路应用的TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。