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传统的干法刻蚀PSS图形衬底对增加LED效率很有效，但产量较低，可控性受衬底尺寸增加的影响很多，晶片尺寸增加时需要更多的刻蚀工具来维持产量。在MicroTech系统的湿法刻蚀过程比较简单，采用PECVD在蓝宝石晶片上沉积一层图形SiO2掩膜，光刻曝光要刻蚀的图形，然后把晶片浸入装有刻蚀剂和缓冲剂的刻蚀槽中。
