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随着第一代以c面氮化镓为基础的固体照明材料遇到瓶颈，半极性氮化镓材料成为全球光学材料研究热点之一，但却一直无法解决批量生产的问题，价格居高不下。成立于2014年的初创公司Saphlux，研发了一种新技术，可以在标准的大尺寸蓝宝石衬底上直接生长半极性氮化镓，解决了量产难题。
荷兰代尔夫特科技大学的研究人员开发出一种方法，用单脉冲镭射直接在衬底上将液态硅墨水打印成能用在电路中的多晶硅，且用镭射打印的薄膜电晶体比传统多晶硅导体更具有灵活机动性。
化工大学特聘教授吉姆•埃德加已经获得了发明专利——“离轴碳化硅衬底”，这项工艺可以用来制作更好的半导体，并且可能有助于改善电子设备性能，为功率电子行业和半导体器件制造商带来益处。
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。
上海，2013年7月23日 – 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150 V。
“虽然我们的蓝宝石衬底技术已达到世界领先水平，但是芯片技术却是一片空白。”他坦言。
中国科学院半导体研究所韩培德研究员领导的光伏能源组日前宣布，该团队瞄准光伏企业需求，经过多年苦战，在国产直拉N型单晶硅(Cz)衬底上采用离子注入等技术，研发出了效率达到20%的太阳能电池，该结果已经过中国计量科学研究院检测。
日前，极特先进科技公司(GT Advanced Technologies)(NASDAQ:GTAT)与Soitec(NYSE Euronext:SOI)今日宣布了一项开发及许可协议，根据该协议，GT将开发、生产和商业化大容量多晶圆HVPE系统。这一HVPE系统将用于生产LED或其他高增长行业(例如电力电子行业)所用衬底的优质GaN外延薄膜。与传统的金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺相比，HVP
近年来，我国LED芯片技术快速发展。目前我国蓝宝石衬底白光LED有很大突破，有报道显示，光效已达到90lm/W-100lm/W。同时，具有自主技术产权的硅衬底白光LED也已经达到90lm/W-96lm/W。中国LED芯片业正在加速发展。与此同时，海外芯片厂商也正在加速进入中国市场，科锐(Cree)在惠州建设芯片厂、旭明在广东省建设LED芯片厂让中国LED芯片业有山雨欲来风满楼的竞争态势。
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用，ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的
