离轴碳化硅衬底可制作更好的半导体并提升电子器件性能
2015-03-31 12:58:13
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作者：祝思怡（译）
通过一个惊喜的研究发现，堪萨斯州立大学化学工程师将为电子器件锦上添花。
化工大学特聘教授吉姆•埃德加已经获得了发明专利——“离轴碳化硅衬底”，这项工艺可以用来制作更好的半导体，并且可能有助于改善电子设备性能，为功率电子行业和半导体器件制造商带来益处。
半导体晶体构成了电子器件，为了是这些电子器件可以运作，它们必须完美地分层堆叠。
“这就像被冰层分隔的蛋糕，”埃德加说。“如果半导体层没有很好匹配，它就会有一定缺陷。只要存在缺陷，器件效率就会降低。”
埃德加的研究开发了一种更好的方式来制作半导体，以减少潜在缺陷——这对制造商们来说是一个重要的发现。
埃德加表示这个研究发现是偶然的。几年前，2011级化学工程系博士张毅(音译)在实验室工作中发现非常平滑的衬底样本。
纽约州立大学石溪分校和英国布里斯托尔大学的合作研究人员经研究后确认它的存在，并证明它的缺陷比标准衬底更少。
“我们已将这个工艺应用在其他系统中，”埃德加说。“我们正在改进，使其不仅能适用于我们起初所使用的材料，也可以应用于许多不同的材料。”
埃德加的一些最新的研究集中在两个不同的硼化合物：磷化硼和磷化二十面体磷化物。
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