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2012年7月18日，中国上海讯 — 科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出两项新型GaN工艺：0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度，与传统技术相比，能够实现更小尺寸裸芯片和更紧凑、更高效率放大器。两项新技术均与科锐业经验证的GaN单片式微波集成电路(MMIC)技术相兼容，可应用在具有全套无
科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管，从而提高效率和可靠性。
功率模组通常将MOSFET和二极管等一系列分立功率开关器件封装在一个独立的集成封装内，可应用于三相工业电源、通讯电源系统以及太阳能和风能系统中功率逆变器等高压电力电子应用领域。在传统MOSFET封装技术中，长引线中的寄生电感会限制碳化硅MOSFET的转换性能。通过使用科锐替代型裸芯片，电路设计人员能够充分利用碳化硅技术转换性能的优势，有效地降低封装中寄生电感的影响。
2010 年 4 月 15 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc宣布，推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式电阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和电阻网络。
瑞萨披露新一代超薄型PoP技术 在基板上内置裸芯片
