摘要：  功率模组通常将MOSFET和二极管等一系列分立功率开关器件封装在一个独立的集成封装内，可应用于三相工业电源、通讯电源系统以及太阳能和风能系统中功率逆变器等高压电力电子应用领域。在传统MOSFET封装技术中，长引线中的寄生电感会限制碳化硅MOSFET的转换性能。通过使用科锐替代型裸芯片，电路设计人员能够充分利用碳化硅技术转换性能的优势，有效地降低封装中寄生电感的影响。

关键字：  碳化硅，  功率器件，  硅器件，  能源效率

碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq：CREE)将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFET MOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路，与传统硅器件相比，可实现更高的能源效率。

功率模组通常将MOSFET和二极管等一系列分立功率开关器件封装在一个独立的集成封装内，可应用于三相工业电源、通讯电源系统以及太阳能和风能系统中功率逆变器等高压电力电子应用领域。在传统MOSFET封装技术中，长引线中的寄生电感会限制碳化硅MOSFET的转换性能。通过使用科锐替代型裸芯片，电路设计人员能够充分利用碳化硅技术转换性能的优势，有效地降低封装中寄生电感的影响。

科锐副总裁兼功率和射频(RF)产品研发部门总经理Cengiz Balkas表示：“随着全面符合标准的碳化硅MOSFET作为未封装芯片的运用，电源模组制造商能够充分了解到碳化硅器件的性能优势 - 实现更好的高温操作条件，更高的开关频率以及更低的开关损耗，并且能够摆脱传统分立器件塑料封装所带来的局限。电力电子模组中碳化硅功率器件的设计优势在于能够以更少的器件实现更高的电流和电压，从而实现最大功率密度以及更高的可靠性。”

Balkas同时表示：“电源模组制造商可将科锐1200V MOSFET功率器件和肖特基二极管以芯片的形式相结合，创造一个专为超高功效电力电子系统而设计的‘全碳化硅’模组。这些新型模组能够充分体现碳化硅材料优势，可实现零反向恢复损耗、不受温度影响的开关、低电磁干扰下高频运行，以及更高电子雪崩能力，其开关频率较传统以硅为材料的解决方案可高出5倍至8倍。在更高开关频率下可使用较小磁性和电容性的元件，从而可以缩减系统体积、降低重量和成本。”

科锐新型MOSFET系列功率器件目前已发布两个型号CPMF-1200-S080B封装尺寸为4.08 mm × 4.08 mm，额定电压/电流为1200 V / 20 A，标准导通电阻为80 mΩ;CPMF-1200-S160B的封装尺寸为3.1 mm × 3.1 mm，额定电压/电流为1200 V / 20 A，标准导通电阻为160 mΩ。两款器件的工作结温均为-55 °C至+135 °C。

科锐两款1200V MOSFET裸芯片已经发布并能够量产使用，客户可通过科锐以及科锐无线射频(RF)代理商Semi Dice了解器件的供货情况。科锐已发布产品说明以及包括对芯片键合等详细的设计指导建议，以帮助电源模组制造商使用新器件并优化设计。同时，科锐十分愿意为客户提供碳化硅MOSFET器件模型以帮助其进行初期模拟仿真及评估。