IGBT，全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成。它综合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 尽管通用公司最先研发出IGBT，但由于公司内部投资形势不太乐观，以及其他厂商如西门子、三菱、富士等对I
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