集成电路制造是一个涉及多个复杂工艺步骤的过程，主要包括掩膜设计、掩膜制作、晶圆制备、掩膜对位和曝光、制作掩膜图案、杂质控制以及蚀刻等步骤。掩膜设计是根据电路设计需求，通过计算机辅助设计软件绘制电路图和布局图。掩膜制作则是将设计图转化为实际的掩膜，通常通过光刻技术实现。晶圆制备是选择适当的硅晶圆，进行清洁和抛光处理。掩膜对位和曝光是将掩膜对准晶圆，并使用光刻机进行曝光，将电路图案转移到晶圆表面。制作掩膜图案是在晶圆表面形成光刻层，杂质控制使用化学气相沉积等方法在晶圆上形成薄膜，而蚀刻则是将多余的材料去除，
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