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东芝公司(Toshiba)推出了基于第四代600V系统超级结(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二极管。新系列采用最新的单外延工艺打造，其每单位面积导通电阻(RON•A)较现有产品降低了约30%(注1)，处于业界领先水平。(注2)另外，高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一(注3)，降低了损耗并有助于提高功效。
作为市场仅有几款的200V肖特基二极管之一，STPS60SM200C在一个3引脚封装内整合两个互连二极管，更高的效能使其可替代通态损耗较高的超高速二极管。在现今的基站设计中，传统超高速二极体的使用率依然达到大约30%，因此，意法半导体预计这新款的二极管将获得大规模应用，为目前使用肖特基二极管的高端平台厂商提供新一产品选项。
