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KLA-Tencor公司(纳斯达克股票代码：KLAC)今天针对10纳米以下(sub-10nm)集成电路(IC)器件的开发和批量生产推出四款创新的量测系统：Archer™600叠对量测系统，WaferSight™PWG2图案晶片几何特征测量系统，SpectraShape™ 10K光学关键尺寸(CD)量测系统和SensArray®HighTemp 4mm即時温度测量系统。
安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)与领先的飞机制造商空中客车(简称“空客”)完成合作开发及投产一款复杂的专用集成电路(ASIC)，应用于空客A350 XWB宽体飞机的飞行控制计算机。这定制硅方案的代号为JEKYLL，使用了安森美半导体内部的110纳米(nm)工艺技术，在安森美半导体美国俄勒冈州的Gresham工厂制造。JEKYLL项目的完成，反映了双方
格罗方德表示2015年推出10纳米，此进度比台积电领先两年，也比英特尔2016年投入研发还领先一年。
半导体材料即将改朝换代。$晶圆磊晶层(Epitaxy Layer)普遍采用的矽材料，在迈入10纳米技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善电晶体通道的电子迁移率，提升芯片效能与省电效益，已被视为产业明日之星。
作为全球最大的半导体芯片制造商英特尔，近日宣布将生产新一代的1010纳米工艺芯片。不过该公司也已经考虑10纳米芯片的生产选址，或将引入以色列生产。而随着制程工艺的降低，单个芯片上容纳的晶体管就越多，性能也会得到改善。
比利时纳米电子研发机构爱美科(Imec)与全球晶片设计、验证与制造及电子系统软体供应商新思科技(Synopsys)宣布，双方将扩大合作范围并将电脑辅助设计技术(Technology Computer Aided Design， TCAD)应用于10纳米鳍式电晶体 (FinFET)制程。
英特尔公布了在2013年将14纳米制程技术应用于制造中央处理器以及SoCs的计划，以及计划在2015年研发10纳米及其以下的制程技术。
安森美半导体，扩充ASIC系列，投资于110 nm技术，知识产权 全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)与LSI 公司达成的协议，进一步扩充专用集成电路(ASIC)系列。这协议让安森美半导体的客户能够通过设在美国俄勒冈州Gresham的安森美半导体晶圆制造厂，获得成熟及高性价比的110纳米(nm)工艺技术，及相关的经过硅验证的知识产权(IP)。
晶元光电研发中心 (Epistar Lab) 已成功地开发出多项技术，包括新一代的透明基板转换制程、可增加光子萃取率的细微结构与可提高电流分布均匀度等，使红光LED在波长610纳米下效率达174流明/瓦。同时，在高压蓝光LED方面，当搭配有别于传统的波长转换材料之配方组合时，可验证出色温约2800K的暖白光其效率为170流明/瓦，演色性为88。今日达成上述成果，不仅超越预定目标，亦持续领先同业。
