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你们知道吗？我国一直想早日完成国产替代，因此国产FPGA厂商一直在努力中，从90nm、65nm、40nm、再到28nmFPGA，可以看出我国离国产替代又进了一步，那么你们知道为什么是28nm FPGA吗？
该系列是业界唯一支持CAN FD、eSHE标准、具有更低功耗的部分唤醒模式的40nm高性能微控制器。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 8 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出用于手势遥控应用的新款高功率高速940nm红外发射器---VSLB9530S，扩大其光电子产品组合。该器件在100mA电流下的发射功率达40mW，采用透明的模塑引线TELUX封装和卵形透镜，在垂直方向和水平方向的半强角分别达到±18
根据Semico Research的报告显示，采用28nm制程的系统级芯片(SoC)设计成本较前一代40nm制程节点增加了78%，此外，软件成本增加的比重更高，提高约一倍以上。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 5 月15 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新型高速850nm红外发射器--- VSMG10850和940nm红外发射器--- VSMB10940，以及匹配封装、对780nm～1050nm辐射非常敏感的高速硅PIN光电二极管---VEMD10940F，扩大其光电子产品组合。这
新日本无线株式会社开发了一款光反射器 NJL5501R，该反射器把红外光(波长940nm)和红光(波长660nm)两个LED和光电晶体管集成在一个封装，最适用于脉搏血氧仪及脉搏波血压计等医疗设备。
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 日前宣佈共同开发并合作生产40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发，以及採用 40nm 製程的车用微控制器及安全晶片的製造。新一代 40nm eFlash 微控制器晶片将在格罗方德不同的据点生产，初期于新加坡，后续则将转移到位于德国德
新日本无线株式会社开发了一款光反射器NJL5501R，该反射器把红外光(波长940nm)和红光(波长660nm)两个LED和光电晶体管集成在一个封装，最适用于脉搏血氧仪及脉搏波血压计等医疗设备。(脉搏血氧仪是利用了血液中血红蛋白和氧合血红蛋白对红外光和红光的吸收比率不同，测量动脉血的血氧饱和度的仪器。现在多以测量透过身体部位的红外光和红光为主。)
中国芯片制造商Rockchip发布了一款新的28nm RK3168双核心处理器，相比之前产品40nm的RK3066功耗更低。
全球领先的半导体激光器专家德国DILAS新近推出了一款较先前产品在输出功率方面大幅提升至40W的，波长为640nm的应用于电影放映的T-Bar系列光纤耦合模块，该模块采用数值孔径0.22，芯径200?m的光纤。
